快科技2月27日消息，下半据国外媒体最新消息称，年星三星将在今年下半年，将使开始使用中国存储专利技术生产相应的用中芯片。

近期，国存三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的储专产芯“混合键合”技术的专利许可协议。

按照消息人士的利技说法，三星计划于2025年下半年量产下一代V10 NAND，术生将使用长江存储的下半专利技术，特别是年星在“混合键合”技术方面。

三星之所以选择向长江存储获取“混合健合”专利授权，将使主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。用中并且三星经过评估认为，国存从下一代V10 NAND开始，储专产芯其已经无法再避免长江存储专利的利技影响。

对于中国存储行业来说，这确实是振奋人心的消息，毕竟大家从落后一直到赶超，这也从侧面反映了中国科技自主创新的成果。